Тайваньские ученые создали самовосстанавливающуюся флэш-память

04 декабря, 2012, 05:56 Распечатать
Отправить
Отправить

Исследователи подвергли ячейки памяти краткосрочному сильному нагреванию, после данной процедуры количество циклов перезаписи чипов флэш-памяти MLC NAND возрасло с 10 тысяч до ста миллионов.

Тайваньские ученые создали самовосстанавливающуюся флэш-память
© phys.org

Тайваньские исследователи из компании Macronix разработали флэш-память, способную противостоять процессу износа.

В основе разработки лежит способность ячеек памяти восстанавливаться под воздействием высоких температур. Исследователи предложили подвергнуть ячейки краткосрочному сильному нагреванию (несколько миллисекунд при температуре 800 градусов Цельсия). Утверждается, что после такой процедуры количество циклов перезаписи чипов флэш-памяти MLC NAND возрастет с 10 тысяч до ста миллионов и более.

«Нагреватели» было решено расположить прямо на схеме таким образом, чтобы каждый из них охватывал лишь небольшую группу ячеек. Вводить в действие «нагреватели» планируется поочередно. При этом устройство, в котором задействована плата, - например, смартфон, - должно быть подключено к источнику питания, но при этом пребывать в неактивном состоянии.

Более подробно рассказать о разработке исследователи из Macronix планируют на конференции IEDM, которая состоится в Сан-Франциско 10-12 декабря.

Флэш-память используется в мобильных устройствах, SSD-дисках, USB-накопителях. Существуют различные методы продления срока ее службы. Один из них, получивший название «Wear levelling» («Нивелирование износа») подразумевает поочередное использование всех сегментов памяти вместо постоянной работы с одними и теми же ячейками. !zn

Читайте также:

Японские инженеры разработали технологию передачи данных ультразвуком

Ультразвук сбивает нейроны с пути

Американцы испытали боевого летающего робота-невидимку (ВИДЕО)

Японские ученые синтезировали 113-й элемент таблицы Менделеева

По материалам: Лента.ру / Подготовил/ла : Шевченко Наташа
Оставайтесь в курсе последних событий! Подписывайтесь на наш канал в Telegram
Заметили ошибку?
Пожалуйста, выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter или Отправить ошибку
ДОБАВИТЬ КОММЕНТАРИЙ
Текст содержит недопустимые символы
ДОБАВИТЬ КОММЕНТАРИЙ
Осталось символов: 2000
Отправить комментарий
Последний Первый Популярный Всего комментариев: 0
Показать больше комментариев
Пожалуйста выберите один или несколько пунктов (до 3 шт.) которые по Вашему мнению определяет этот коментарий.
Пожалуйста выберите один или больше пунктов
Нецензурная лексика, ругань Флуд Нарушение действующего законодательства Украины Оскорбление участников дискуссии Реклама Разжигание розни Признаки троллинга и провокации Другая причина Отмена Отправить жалобу ОК