Японці та американці приступили до створення оперативної пам'яті нового покоління

Японські та американські фахівці оголосили про початок широкомасштабних розробок нового типу оперативної пам'яті. Замість динамічної пам'яті з довільним доступом (DRAM), яка широко використовується в сучасних комп'ютерах і смартфонах, світила науки пропонують використання магніторезистивної пам'яті з довільним доступом (MRAM). Свої зусилля в рамках революційного проекту об'єднали понад двадцять компаній, серед яких є такі флагмани, як Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi і американський гігант Micron Technology.

За словами вчених, новий тип пам'яті може збільшити продуктивність цифрових пристроїв в десятки разів, при цьому знизивши їхнє енергоспоживання. Якщо пояснити простіше, то різниця між DRAM і MRAM полягає в різному способі зберігання інформації. Якщо DRAM використовує для цього електричні заряди, то MRAM зберігає інформацію за допомогою магнітних моментів, для підтримки яких потрібно набагато менше енергії, що спрощує роботу з провідниками і стабілізаторами.

Розробки в цій області будуть вести з використанням інтелектуального капіталу кількох десятків вчених з японського Університету Тохоку, на чолі дослідників буде стояти професор Тетсуо Ендо. Повномасштабна робота над проектом почнеться в лютому 2014 року. Масовий випуск пристроїв на основі MRAM, втім, обіцяють налагодити не раніше 2018 року.

Важливо відзначити, що фахівці з Університету Тохоку не єдині, хто займається перспективною розробкою. Компанія Everspin Technologies обіцяє в найближчому майбутньому почати випускати MRAM пам'ять, а інженери з компанії Buffalo вже в 2015 році обіцяють випустити перший SSD з ST-MRAM-буфером, розробленим ентузіастами з Everspin.

Робота над технологіями магніторезистивної пам'яті MRAM почалася в 90-х роках минулого століття. Головною перевагою цього типу пристроїв є енергонезалежність. Прихильники технології вірять, що MRAM стане єдиним стандартом комп'ютерної пам'яті, хоча досі рішення не одержала поширення на ринку. Лабораторні успіхи, про які час від часу повідомляють розробники, не наближали стадії комерційного використання MRAM. !zn