Сконструйовано найшвидший графеновий транзистор

При виготовленні нового варіанту графенового транзистора вченим із Каліфорнійського університету в Лос-Анджелесі вдалося довести частоту коректного функціонування пристрою до 300 ГГц.

Такі характеристики демонструє пристрій із довжиною каналу (відстанню від стоку до витоку) 140 нм. Транзистори на основі дорогих напівпровідникових матеріалів - фосфіду індію або арсеніду галію - мають аналогічні характеристики, а кращі зразки кремнієвих польових МОН-транзисторів співвідносних розмірів за граничною частотою поступаються графеновому конкурентові приблизно удвічі.

Автори модифікували існуючу технологію, сформувавши засув транзистора за допомогою нанопроводів із силіциду кобальту Co2Si з тонкою ізоляційною оболонкою з оксиду алюмінію. Ця структура поміщалася на графеновий лист, після чого частина оксидного шару знімалася, щоб забезпечити контакт між провідною серцевиною та тонкими шарами золота і титану, які покривали один кінець дроту.

Отриманий результат цілком відповідає тому, що досягається застосуванням «звичайної» технології із самосполученим засувом: електроди позиціонуються автоматично, а накладення та люзи відсутні.

Довжина каналу такого транзистора визначається діаметром нанопроводу, величина якого змінювалася у діапазоні 100-300 нм. У майбутньому дослідники сподіваються знизити діаметр приблизно до 50 нм. «Це повинно дозволити нам вийти на терагерцеві частоти», - стверджує один із авторів Сянфен Дуань.

Нагадаємо, на початку цього року фахівцями Дослідницького центру ім. Томаса Уотсона компанії IBM був створений графеновий транзистор з граничною частотою 100 ГГц.

За матеріалами Компьюленты