Вразити уяву перспективами, які відкриває перед людством застосування нанотехнологій, у наш час уже досить складно. Навіть ті, хто дуже невиразно уявляє, що це таке, знають: отримані нещодавно молекулярні утворення, розміри яких вимірюються в нанометрах (мільярдних частках метра), можуть чимало. Чи принаймні зможуть. Адже наразі ці з’єднання, міцність яких у сотні разів вища, ніж у сталі, а питома вага — ушестеро менша, застосовуються хіба що в... тенісних ракетках.
Утім, учених набагато більше приваблюють інші властивості наноструктур. Фуллерени, названі так на честь американського архітектора Річарда Бакмінстера Фуллера, за своєю будовою справді нагадують його знаменитий «геодезичний купол» — півсферу, зібрану з тетраедрів. У даному випадку у вершинах правильних багатокутників розміщуються атоми вуглецю, а самі багатокутники утворюють циліндри, стінки яких можуть складатися з одного чи кількох шарів. Завдяки своїй складній тривимірній архітектурі ці молекули можуть виступати в ролі «електронних губок», здатних приймати і віддавати електрони. Особливо зацікавила вчених здатність фуллеренів під впливом магнітного поля то виступати в ролі провідника, то набувати властивостей напівпровідника. Саме на цьому й базується спроба американських інженерів використовувати фуллерени як носії інформації.
На одній з американських фірм уже розпочинають експериментальне виробництво NRAM (nonvolatile random-access memory — енергонезалежних запам’ятовувальних пристроїв), в основу яких покладені такі властивості фуллеренів. Термін «виношування» наукової ідеї до впровадження у виробництво дуже символічний: дев’ять місяців. Якщо все піде гладко, то нові елементи пам’яті з’являться на ринку на початку наступного року. Перспективними пристроями вже зацікавилися такі відомі фірми, як IBM, Intel, Motorola. Проте захопити великий сегмент ринку запам’ятовувальних пристроїв, що оцінюється нині в 35 мільярдів доларів, буде не дуже просто. Адже й існуючі елементи пам’яті вирізняються великою швидкістю дії, досить дешеві й малих розмірів. Утім, порівняно з нинішніми носіями, характеристики NRAM на основі фуллеренів справляють і зовсім позамежне враження.