Поразить воображение перспективами, которые открывает перед человечеством применение нанотехнологий, в наше время уже достаточно сложно. Даже те, кто весьма смутно представляют себе, что это такое, знают: полученные совсем недавно молекулярные образования, чьи размеры измеряются в нанометрах (миллиардных долях метра), могут многое. Или, по крайней мере, смогут. Ведь пока эти соединения, прочность которых в сотни раз выше, чем у стали, а удельный вес — в шесть раз меньше, применяются разве что в… теннисных ракетках.
Впрочем, ученых гораздо больше привлекают другие свойства наноструктур. Фуллерены, названные так в честь американского архитектора Ричарда Бакминстера Фуллера, по своему строению действительно напоминают его знаменитый «геодезический купол» — полусферу, собранную из тетраэдров. В данном случае в вершинах правильных многоугольников располагаются атомы углерода, а сами многоугольники образуют цилиндры, чьи стенки могут состоять из одного или нескольких слоев. Благодаря своей сложной трехмерной архитектуре, эти молекулы приобретают возможность выступать в роли «электронных губок», способных принимать и отдавать электроны. Особенно заинтересовала ученых способность фуллеренов под воздействием магнитного поля выступать то в роли проводника, то приобретать свойства полупроводника. Именно на этом и основана попытка американских инженеров использовать фуллерены в качестве носителей информации.
К экспериментальному производству NRAM (nonvolatile random-access memory — энергонезависимых запоминающих устройств), в основу которых положены такие свойства фуллеренов, уже приступают на одной из американских фирм. Срок «вынашивания» научной идеи до внедрения в производство весьма символичен: девять месяцев. Если все пойдет гладко, то новые элементы памяти появятся на рынке в начале следующего года. Интерес к перспективным устройствам уже проявили такие известные фирмы, как IBM, Intel, Motorola. Тем не менее захватить значительный сегмент рынка запоминающих устройств, который оценивается ныне в 35 миллиардов долларов, будет не так-то просто. Ведь и уже существующие элементы памяти отличаются большой быстротой действия, достаточной дешевизной и небольшими размерами. Впрочем, по сравнению с нынешними носителями характеристики NRAM на основе фуллеренов производят и вовсе запредельное впечатление.