Ученые из Университета Райса в штате Техас (США) представили технологию производства RRAM - резистивной памяти с произвольным доступом, - которая позволит увеличить объем доступной "оперативки" в смартфонах и планшетниках в десятки и и даже сотни раз. Речь идет об одной из разновидностей RRAM, у которой выше плотность и ниже уровень энергопотребления, чем у "обычной" памяти. Вдобавок к этому, она более компактна.
Выпуском модулей RRAM-памяти занимаются всего несколько компаний. Процесс производства таких микросхем дорогостоящий и весьма сложный - он требует высоких температур и напряжения для переключения в приводящее состояние.
Исследователи из Райса предложили иной подход, позволяющий создавать ячейки RRAM-памяти при комнатной температуре и гораздо более низком напряжении. Он заключается в использовании пористого оксида кремния в качестве основного диэлектрического материала.
В основе технологии - пористый оксид цинка с напылением золота и платины. Модули памяти из этого материала могут хранить в сотни раз больше информации, их жизненный цикл в сто раз дольше, и они выдерживают нагревание до высоких температур, не теряя сохраненные данные
Созданные по такому принципу ячейки более надежны, не требуют расхода энергии для хранения информации, могут хранить до девяти бит данных на ячейку и обеспечивают более высокую скорость записи/чтения данных (до ста раз быстрее, чем флеш-память). Что самое важное, новая технология облегчает "укладку" слоев RRAM-памяти, что позволяет увеличить объем хранимой информации. У одного из прототипов плотность хранения данных настолько высока, что на микросхеме размером с почтовую марку может быть умещен терабайт памяти. !zn
Читайте также:
Amazon представил смартфон с 3D-экраном
К концу 2014 года пользоваться смартфонами будет четверть населения Земли
Американцы создали пленку, придающую дисплею смартфона высокую ударопрочность