При изготовлении нового варианта графенового транзистора ученым из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе удалось довести частоту корректного функционирования устройства до 300 ГГц.Такие характеристики демонстрирует устройство с длиной канала (расстоянием от стока до истока) в 140 нм. Транзисторы на основе дорогих полупроводниковых материалов — фосфида индия или арсенида галлия — имеют аналогичные характеристики, а лучшие образцы кремниевых полевых МОП-транзисторов сравнимых размеров по граничной частоте уступают графеновому конкуренту примерно в два раза.
Авторы модифицировали существующую технологию, сформировав затвор транзистора с помощью нанопровода из силицида кобальта Co2Si с тонкой изолирующей оболочкой из оксида алюминия. Эта структура помещалась на графеновый лист, после чего часть оксидного слоя снималась, чтобы обеспечить контакт между проводящей сердцевиной и тонкими слоями золота и титана, которые покрывали один конец провода.
Полученный результат вполне соответствует тому, что достигается применением «обычной» технологии с самосовмещенным затвором: электроды позиционируются автоматически, а наложения и зазоры отсутствуют.
Длина канала такого транзистора определяется диаметром нанопровода, величина которого изменялась в диапазоне 100–300 нм. В будущем исследователи надеются снизить диаметр приблизительно до 50 нм. «Это должно позволить нам выйти на терагерцевые частоты», — утверждает один из авторов Сянфэн Дуань.
Напомним, в начале этого года специалистами Исследовательского центра им. Томаса Уотсона компании IBM был создан графеновый транзистор с граничной частотой в 100 ГГц.По материалам Компьюленты
